Modèle de Produit

MJ10100

Introduction

Transistor de puissance NPN en silicium à haute puissance

Marque et Fabricant

Motorola, Inc.

Caractéristiques

Construction en silicium NPN, hautes capacités de tension, temps de commutation rapides, faible voltage de saturation, conçu pour des applications à haute tension.

Performance du Produit

Excellentes caractéristiques de linéarité de gain, haute dissipation de puissance, durable à haute fréquence, capable de résister à des conditions de charge élevées.

Spécifications Techniques

Tension collecteur- émetteur (VCEO) : 400 V, Tension collecteur-base (VCBO) : 700 V, Tension émetteur-base (VEBO) : 9 V, Courant collecteur (IC) : 20 A, Dissipation de puissance (Pd) : 175 W, Température de jonction de fonctionnement (TJ) : -65 à +200°C.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage en boîtier métallique TO-3, dimensions conformes aux normes de l'industrie pour le TO-3.

Qualité et Fiabilité

Soumis à des normes de test rigoureuses de Motorola, haute MTBF (Temps Moyen Entre Pannes).

Avantages du Produit

Capable de gérer des applications à haute puissance, bonne réponse en fréquence, fiable dans diverses plages de température.

Compétitivité du Produit

Compétitif dans le segment des transistors à haute puissance, bien connu pour sa durabilité selon les normes de l'industrie.

Compatibilité

Complémentaire aux transistors de puissance de type PNP, facilement intégré dans des conceptions de circuits existants.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC pour les produits semi-conducteurs.

Durée de Vie et Durabilité

Transistor robuste avec une longue durée de fonctionnement, peut être utilisé dans des applications durables considérant l'efficacité énergétique.

Champs d'Application Réels

Alimentations électriques industrielles, amplificateurs audio, régulateurs de commutation, commandes de moteurs, onduleurs.

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